기술: MST

Mears Silicon Technology — 산소 단원자층 초격자(Superlattice)

MST 개요

MST(Mears Silicon Technology™)는 실리콘 같은 반도체 안에 산소 같은 비(非)반도체 원자층을 끼워 넣되, 결정(에피택시) 성장은 그대로 유지하는 초격자(Superlattice) 소재입니다. 이 층이 도펀트 확산을 막고(Diffusion Blocking), 변동성(Variability)을 줄이며, 이동도(Mobility)를 높이고, 게이트 누설(Gate Leakage)을 줄이고, 신뢰성(Reliability)을 개선합니다. 회사는 이를 설계자를 위한 '툴박스'라고 부릅니다.

출처: atomera.com — MST, atomera.com — Diffusion Blocking · 업데이트 2026-10-15

인터랙티브 단면도

보론·인 같은 도펀트(Dopant)가 아래로 퍼지려 할 때 산소 단원자층이 '울타리'처럼 막아 도핑 경계가 선명하게 유지됩니다.

효과 수치

구동전류·유효전류 (제3자 평가)

+10~20%

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출처: atomera.com — MST Advantages · 업데이트 2026-10-15

게이트 누설 감소 (제3자 평가)

>60% 감소

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출처: atomera.com — MST Advantages · 업데이트 2026-10-15

Vt 변동성 감소 (제3자 평가)

최대 50% 감소

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출처: atomera.com — MST Advantages · 업데이트 2026-10-15

게이트 산화막 계면 보론 농도

10배+ 낮춤

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출처: atomera.com — Diffusion Blocking · 업데이트 2026-10-15

아날로그 파트너 Avt (변동성 지표)

>50% 감소

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출처: atomera.com — Variability · 업데이트 2026-10-15

MST-SP 5V NMOS Rsp

대칭형 대비 3배↓, 비대칭형 대비 최대 25%↓

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출처: atomera.com — Analog & Power · 업데이트 2026-10-15

MST-SP PMIC 다이 축소

최대 20%

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출처: atomera.com — Analog & Power · 업데이트 2026-10-15

130nm BCD(MST) vs 180nm BCD Rsp (전망)

40% 낮음

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출처: atomera.com — Analog & Power · 업데이트 2026-10-15

RF 스위치 BV / Ron / 전력 처리

BV 최대 +50%, Ron 최대 −20%, 전력 최대 +25%

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출처: atomera.com — RF Products · 업데이트 2026-10-15

DRAM Gm / HKMG 게이트 누설 / 미스매치

Gm +50%, 누설 2.7배↓, 미스매치 50%↓, 최대 100mV 오버드라이브

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출처: atomera.com — DRAM · 업데이트 2026-10-15

CIS 게이트 누설

~50% 감소

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출처: atomera.com — Image Sensors · 업데이트 2026-10-15

RF GaN-on-Si 기생 계면 전하 (Incize)

10배+ 감소

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출처: atomera.com — 보도자료 2026-06-04 · 업데이트 2026-10-15

노드 축소 효과

면적 ~25%↓ 또는 성능 ~30%↑

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업데이트 2026-10-15

Synopsys TCAD: 컨덕턴스/Vt/이동도

+88% / 30% / +75%

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업데이트 2026-10-15

SK하이닉스-Mears-UCB APL 논문(2015)

채널 전도도 +88%, 전류 +30%+, 이동도 +75%

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업데이트 2026-10-15

MST-SPX 전력소자 Rsp

15~30% 개선

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업데이트 2026-10-15

SSROI(SOITEC) Rdson / LNA gm

Rdson 20%+↓, gm 50%+↑ (TCAD)

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업데이트 2026-10-15

Trench MOSFET 특허 실측 Rsp

56%↓ @BVdss ~60.7V, Id 2.3배

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업데이트 2026-10-15

48V Trench FET 시뮬레이션

성능 40% 개선

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업데이트 2026-10-15

GAA 누설/이동도/구동전류

누설 수 배↓, 이동도 ~15%↑, 구동전류 ~10%↑, 접촉저항 11%↓

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업데이트 2026-10-15

GAA S/D 인 확산 차단

Si:As 스페이서 대비 2배 (회사 장표)

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업데이트 2026-10-15

nMOSFET 전자 이동도(JAP 논문)

+55%

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업데이트 2026-10-15

GaN XRD/결함

기준 FWHM 650±30 arcsec 대비 좁은 피크, 결함 감소

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업데이트 2026-10-15

CIS 핀드 포토다이오드(특허)

IR 흡수 1,000배 (특허 기재)

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업데이트 2026-10-15

48V SPX 전력손실

최대 16배 감소 (회사 주장)

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업데이트 2026-10-15

수치는 회사·특허·논문에서 주장된 값이며 독립 검증 여부는 항목별로 다릅니다.

적용 분야

Power평가중

전력 (BCD, Trench FET, 48V)

Rsp·Rdson 저감, 항복전압 향상

STM은 BCD110을 MST 없이 출시하기로 결정(2025-10-21 공식 업데이트). 다른 기술 영역 협력은 지속

출처: atomera.com — Analog & Power, atomera.com — STM 업데이트 (2025-10-21) · 업데이트 2026-08-01

RF평가중

RF-SOI (스위치, LNA)

LNA 바이어스 전류↓, 초격자 접지면

출처: atomera.com — RF Products, atomera.com — RF-SOI 기판 보도자료 · 업데이트 2026-08-01

GAA평가중

GAA 선단 로직

S/D 인 확산 차단, Si/SiGe 성장, 일함수 튜닝

2Q26: 1곳 물리적 증착 마일스톤 통과, 전기 테스트 중

출처: atomera.com — GAA 백서 · 업데이트 2026-08-01

DRAM평가중

DRAM (센스앰프, 4F² VCT)

변동성↓, 수직 트랜지스터용 MST 스타팅 웨이퍼

출처: atomera.com — DRAM · 업데이트 2026-09-22

NAND초기

NAND (planar peri, gettering)

주변회로 성능, 니켈 게터링

업데이트 2026-08-01

GaN상업화

GaN-on-Si (Power/RF)

결함·휨·기생 채널 감소

첫 상업 고객이 MST 웨이퍼로 생산 시작(4Q25 콜). 매출은 소량

출처: atomera.com — RF GaN 보도자료, atomera.com — GaN 연말 업데이트 · 업데이트 2026-06-04

RF초기

SiGe HBT / BJT

이미터-베이스 초격자

업데이트 2026-10-15

CIS특허

이미지센서(CIS), SPAD

다크커런트↓, IR 감도↑

출처: atomera.com — Image Sensors · 업데이트 2026-10-15

GAA특허

CFET

초격자 절연층

업데이트 2026-10-15

RF특허

압전 SAW/BAW 필터

MST 분극(poling) 압전층

업데이트 2026-10-15

Quantum특허

Si-28 (열전도/양자)

Si-28 에피 확산방지

양자컴퓨팅 프로젝트는 성과 없어 중단(4Q25 콜)

업데이트 2026-10-15

Logic평가중

SRAM · 로직/프로세서 · FinFET · HKMG

변동성·누설 감소, 이동도 향상

출처: atomera.com — Applications · 업데이트 2026-10-15